株式会社エイエルエステクノロジー

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LEIPS装置の紹介


LEIPSとは?
2012年に京都大学化学研究所の吉田弘幸博士(現千葉大学教授⇒サイト)が新しく開発した低エネルギー逆光電子分光法LEIPS(Low-Energy Inverse Photoemission Spectroscopy)により、世界で初めて直接的に高精度なLUMO準位測定が可能となりました。
弊社は京都大学(株式会社関西TLO)との間で知的財産に対しての「実施許諾契約」を締結し、製品化いたしました。

LEIPS


LE-1の特徴
逆光電子分光法の低エネルギー化により、高精度LUMO準位(電子親和力)の測定を実現しました。

【試料損傷の大幅低減】
 

試料損傷の大幅低減
●照射電子の運動エネルギーを有機分子の損傷閾値とされる5eV以下とします。

高精度LUMO準位測定
●デバイスと同じ薄膜試料測定可能。
●伝導に関わる準位に電子を緩和し直接測定。
●光電子分光法(XPS,UPS)と同等の精度実現。
●エネルギー分解能0.5eV以下。再現性0.1eV以下。
●測定された光スペクトルは状態密度を反映。

簡単な装置操作
●超高真空仕様(10-8Pa台)ながら、試料搬送・排気・測定の操作が簡単なタッチパネル操作で自動で行えます。
●試料基板を4枚ストック(バッファー室)することにより効率的な測定が可能です。

簡単な計測操作
●標準装備のLEIPSソフトにより、簡単な操作で自動計測および電子親和力の計算ができます。

利便性・拡張性
●光電子分光法(XPS,UPS)とのドッキング、蒸着装置の増設などを標準で対応できます。
●大気暴露せずに試料基板搬送可能なキャリアボックス標準装備。

照射電子の運動エネルギーをおよそ5eV以下として近紫外光検出とします。
●有機試料の損傷回避
●高感度の光電子増倍管の採用が可能となります。
●Isochromatモードの採用により、高感度・高エネルギー分解能の誘電体多層膜バンドパスフィルターによる分光が可能となります。
●電子銃のカソードにエネルギー分解能の高いBaO採用。


LEIPS計測構成図
LEIPS

仕様

項目 従来のIEIPS LEIPS
照射電子の運動エネルギー 5~15 eV ≤ 5 eV
検出光波長 紫外光 近紫外光 (200~400nm)
光検出器 フィルター SrF2,CaF2 等 バンドパスフィルター
検出エネルギー
≥ 10eV ~5eV
エネルギー分解能 0.4~0.8eV ~0.2eV
検出感度
low 高い
電子銃 カソード材料
W 等 BaO
エネルギー幅
0.6~0.7 ~0.3eV
システム分解能
0.7~1.1eV ≤ 0.5eV
システム感度
低い 高い
有機材料の損傷
深刻 観測されず


逆光電子分光(Isochromatモード)
LEIPS




LEIPSソフト標準装備

LEIPSソフトLEIPSソフト

簡単操作
●測定条件を入力してスタートするだけで試料電流スペクトルとLEIPS光スペクトルを自動測定。
●測定結果を計算画面にて簡単な操作により、真空準位・電子親和力を算出できます。

ユーザーフレンドリー
●計算画面上でカーソルを呼び出して任意箇所のエネルギー値を照射電子エネルギーもしくは真空準位からのエネルギーに変換直読できます。
●測定データはCSV形式で自動保存されます。お客様にて解析利用できます。

京都大学化学研究所の吉田弘幸博士(現千葉大学教授サイト⇒サイト


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